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【無錫水處理設(shè)備http://】光伏組件常見的質(zhì)量問題有執(zhí)郎、陷裂和功率衰減。由于這些質(zhì)量問題隱藏在電池板內(nèi)部，或在光伏電站運(yùn)營(yíng)一段時(shí)間后才發(fā)生,在電池板進(jìn)場(chǎng)驗(yàn)收時(shí)難以識(shí)別，需借助專業(yè)設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)。

熱斑形成原因及檢測(cè)方法

光伏組件熱斑是指組件在陽(yáng)光照射下，由于部分電池片受到遮擋無法工作,使得被意蓋的部分升溫遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于未被遮蓋部分，純水設(shè)備致使溫度過高出現(xiàn)燒壞的暗斑。

光伏組件熱斑的形成主要由兩個(gè)內(nèi)在因素構(gòu)成:內(nèi)阻和電池片自身暗電流。

熱斑耐久試驗(yàn)是為確定太陽(yáng)電池組件承受熱斑加熱效應(yīng)能力的檢測(cè)試驗(yàn)。通過合理的時(shí)間和過程，對(duì)太陽(yáng)電池組件進(jìn)行檢測(cè)，用以表明太陽(yáng)電池能夠在規(guī)定的條件下長(zhǎng)期使用。

熱斑檢測(cè)采用紅外線熱像儀進(jìn)行檢測(cè)。紅外線熱像儀可利用熱成像技術(shù)，以可見熱圖顯示被測(cè)目標(biāo)溫度及其分布。

隱裂形成原因及檢測(cè)方法

隱裂是指電池片中出現(xiàn)細(xì)小裂紋，電池片的隱裂會(huì)加速電池片功率衰減，影響組件的正常使用壽命，同時(shí)電池片的隱裂會(huì)在機(jī)械載荷下擴(kuò)大，有可能導(dǎo)致開路性破壞。隱裂還可能會(huì)導(dǎo)致熱斑效應(yīng)。純水設(shè)備隱裂的產(chǎn)生是由于多方面原因共同作用造成的，組件受力不均勻，或運(yùn)輸過程中劇烈的抖動(dòng)都有可能造成電池片的隱裂。

光伏組件在出廠前會(huì)進(jìn)行EL成像檢測(cè)，所使用的儀器為EL檢測(cè)儀。該儀器利用晶體硅的電致發(fā)光原理，利用高分辨率的CCD 相機(jī)拍攝組件的近紅外圖像，獲取并判定組件的缺陷。EL檢測(cè)儀能夠檢測(cè)太陽(yáng)能電池組件有無隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異常現(xiàn)象。

功率衰減分類及檢測(cè)方法

光伏組件功率衰減是指隨著光照時(shí)間的增長(zhǎng)，組件輸出功率逐漸下降的現(xiàn)象。光伏組件的功率衰減現(xiàn)象大致可分為三類:第一類，由于破壞性因素導(dǎo)致的組件功率衰減;第二類，組件初始的光致衰減;第三類，組件的老化衰減。其中，第一類是在光伏組件安裝過程中可控制的衰減，如加強(qiáng)光伏組件卸車、運(yùn)輸、安裝質(zhì)量控制，可降低組件電池片隱裂、碎裂出現(xiàn)的概率等。第二類、第三類是光伏組件生產(chǎn)過程中亟須解決的工藝問題。光伏組件功率衰減測(cè)試可通過光伏組件I—U特性曲線測(cè)試儀完成。

1.黑心片（黑團(tuán)片)

①產(chǎn)生原因:在直拉硅棒生產(chǎn)過程中，晶體定向凝固時(shí)間縮短，熔體潛熱釋放與熱場(chǎng)溫度梯度失配，晶體生長(zhǎng)速率加快，過大的熱應(yīng)力導(dǎo)致硅片內(nèi)部位錯(cuò)缺陷。

②成像特點(diǎn):黑芯或黑團(tuán)片在EL成像圖中可以清晰地看到從電池片中心到邊緣逐漸變亮的同心圓，從而導(dǎo)致缺陷的部分在EL測(cè)試過程中表現(xiàn)為發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光，從而形成復(fù)合密集區(qū),在通電情況下電池片中心一圈呈現(xiàn)黑色區(qū)域。

③組件影響:組件出現(xiàn)此缺陷后，長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行會(huì)造成熱擊穿;在使用組件測(cè)試儀測(cè)試組件/-U測(cè)試特性曲線時(shí)，測(cè)試曲線呈現(xiàn)臺(tái)階形狀;同時(shí)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行會(huì)導(dǎo)致組件功率下降。

2.短略黑片（非短路黑片)

①產(chǎn)生原因:組件單串焊接過程中造成的短路;組件層壓前,混入了低效電池片造成:硅片使用上錯(cuò)用N型片,無PN結(jié),故式成像為全黑。

②成像特點(diǎn):組件某個(gè)位置出現(xiàn)一塊或多塊電池片呈現(xiàn)全黑現(xiàn)象。

③組件影響:會(huì)造成組件I—U測(cè)試曲線呈現(xiàn)臺(tái)階，組件功率和填充因子都會(huì)受到較大影響;使被短路的電池片不能對(duì)外提供功率，整塊組件輸出功率降低，I一U測(cè)試曲線量大功率下降。純水設(shè)備，實(shí)驗(yàn)室純水設(shè)備, 無錫純水設(shè)備,無錫水處理設(shè)備，無錫去離子水設(shè)備, 醫(yī)用GMP純化水設(shè)備。 半導(dǎo)體超純水設(shè)備。